Siliziumkarbid (SiC)-Wafer sind für die Leistungselektronik im Bereich der Elektromobilität und der erneuerbaren Energien unverzichtbar. Extrinsische Punktdefekte sind Kristalldefekte auf atomarer Skala, die durch Fremdatome während des Kristallwachstums verursacht werden. Sie haben einen großen Einfluss auf die elektrischen Eigenschaften der SiC-Wafer und führen letztendlich zu einer niedrigeren Systemperformance.
Ziel des Projekts ExtrinSiC ist es, die Voraussetzungen für die Herstellung von SiC-Wafern mit geringeren extrinsischen Punktdefektkonzentrationen zu schaffen, die den wachsenden Anforderungen von künftigen Hochleistungsanwendungen gerecht werden. Dies erfordert die Erforschung der Ursachen und Wirkungen dieser extrinsischen Defekte, deren Charakterisierung sowie die Entwicklung von Prozessen und Methoden zu deren Vermeidung entlang der Wertschöpfungskette.
